Wydajne dyski SSD 3D NAND Flash nowej generacji M.2 2280 NVMe N600Si/N600Sc. Jeszcze lepsza ochrona danych w przypadku utraty zasilania.

23 czerwca 2021

1193

Technologie NVMe i 3D NAND są uznawane za najbardziej przełomowe technologie Flash ostatnich lat. W ofercie CSI dostępne są dyski SSD M.2 NVMe (model N600Si i N600Sc) od producenta ATP. Zapewniają one wysoki poziom wydajności, niezawodności i wytrzymałości. Spełniają rygorystyczne wymagania w zastosowaniach przemysłowych i zapewniają długi okres bezproblemowej eksploatacji.

Szybki interfejs PCI Express®

Dyski M.2 oparte na protokole NVMe™ wykorzystują szybki interfejs PCI Express® (PCIe®). Zapewniają niebywałą jakość użytkowania w celu zaspokojenia rosnących wymagań co do wydajności nośników. Z przepustowością na poziomie 32 Gb/s na gnieździe PCIe 3,1 x4 (8 Gb/s na kanał), dyski SSD ATP NVMe przewyższają prędkością dyski SSD Serial ATA 6 Gb/s z 4-6-krotnie szybszym dostępem, ponad 3-krotnie krótszymi opóźnieniami i większą liczbą wejść/wyjść na sekundę (IOPS). Dyski SSD ATP NVMe dedykowane dla przemysłu, zapewniają stabilną pracę w ekstremalnych temperaturach, tj. w zakresie od -40°C do 85°C (dotyczy modelu N600Si). Dyski NVMe™ są dostępne w pojemnościach od 120 GB do 1920 GB. Zwiększona wydajność zapewnia sekwencyjny odczyt do 3 280 MB/s i sekwencyjny zapis danych do 3 050 MB/s. Średni czas bezawaryjnej pracy (MTBF) wynosi ok. 2 000 000 godzin. Dyski mogą pracować w macierzy RAID. Kompleksowa ochrona danych i korekcja błędów SRAM (ECC) zapewniają kontrolę i tym samym niezawodny transfer danych.

Technologie Dysków SSD M.2 NVMe

a) S.M.A.R.T – system monitorowania kondycji dysku
b) Power Protector 4 – ochrona danych przed skutkami spadku / zaniku zasilania
c) Advanced Global Wear-Leveling – technologia pozwalająca na zoptymalizowanie zużycia nośnika
d) Dynamic Thermal Throttling – mechanizm zabezpieczający przed uszkodzeniem w wyniku przegrzania

8-kanałowa wydajność NAND

Dyski SSD ATP zarówno z serii N600Si jak i N600Sc są wyposażone w interfejs PCIe Gen3 x 4 8 Gb/s o równoczesnym przepływie danych w ośmiu kanałach NAND. Taka konstrukcja optymalizuje zarówno sprzęt, jak i oprogramowanie w celu pełnego wykorzystania specyfikacji PCIe 3.1 i NVMe 1.3. Jest to odpowiedź na rosnące zapotrzebowanie różnych obszarów przemysłu na szybką i niezawodną pamięć przemysłową.

Konstrukcja PLP oparta na MCU

Dodatkową korzyścią dla użytkowników pamięci flash jest unikalny mechanizm zarządzania zasilaniem i ochrony przed utratą mocy (PLP) oparty o moduł MCU. Konstrukcja modułu MCU została zintegrowana z układem 4 generacji PLP oraz wyposażona w funkcję Power Protector, dzięki temu ochrona urządzenia oraz integralność danych w przypadku spadku lub zaniku zasilania jest na wysokim poziomie.